Wafer, Plattenelektrode aus reinstem, polykristallinen Silicium (5N)
155 mm x 155 mm, Plattenstärke 4 - 5 mm
als Silicium-Sputter-Target zur Beschichtung anderer Werkstoffe
multikristallin, 5N, p-Typ, Bor-dotiert, spez. Widerstand ca. 0,01 Ohm cm
Materialprobe mit definiertem Reinheitsgrad Si 99,999 zur vergleichenden Untersuchung von Werkstoffeigenschaften
mit guten Transmissionswerte im IR-Bereich eignet sich Silicium für Infrarot-Anwendungen in der Optik
Dichte: 2,33 g/cm³
CAS-Nummer 7440-21-3 als Kalibrierstandard für die Materialanalyse von Metallen
als Anode/Standardelektrode für Experimente in der Elektrochemie (Galvanik, Elektrolyse, Ionenwanderung, Bestimmung elektrochemischer Potentiale etc.)
als Heißleiter zur experimentellen Veranschaulichung eines NTC (negativer Temperatur-Koeffizient), d.h. der elektrische Widerstand nimmt bei Erwärmung ab, Anwendungsbeispiel: Temperatursensor
