Sputter-Target aus reinstem Indium In 99,99% (In 4N), Ultra High Purity Indium (UHP In)
in Scheibenform, Ø 50 ... Ø 150 mm x 3,2 oder 6 mm
als Spezial-Anode/Elektrode bei extremen Reinheitsgebot, kritischen elektrischen Bauteilen und in der Vakuumtechnik
als Sputter-Target Magnetronsputterverfahren, Magnetron-Sputter-Deposition (MSD), durch Lichtbogenverdampfen oder Haftschicht für die DLC-Beschichtung, PVD-Beschichtung
Elementsammlungen
Planartarget, rund - weitere Durchmesser, Stärken bzw. Werkstoffe auf Anfrage
Dichte: 7,31 g/cm³
Schmelzpunkt: 156,6 °C
CAS 7440-74-6
Material:
Indium
Reinheitsgrad:
99,99 (4N)
Durchmesser:
76,2 mm
Produktgruppen "Indium-Sputter-Target, rund, In 99,99"
